Главная    Интернет-библиотека    Словарь    ЕТКС    Оператор прецизионной фотолитографии

Оператор прецизионной фотолитографии

Поиск по словарю
2-й разряд
Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовок масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание и декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительного покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления, неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушка заготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случае необходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированном оборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытье посуды. Приготовление хромовой смеси.
Должен знать: наименование и назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильный шкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборов для контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работу микроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правила хранения и использования их; основные химические свойства применяемых материалов.
Примеры работ
1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов - изготовление методом фотохимического травления.
2. Заготовки масок - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.
3. Заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание, сушка.
4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методом фотохимфрезерования - обезжиривание, сушка.
5. Маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.
6. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - сушка и полимеризация фоторезиста.
7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны - изготовление фотохимическим методом.
8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.
9. Подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя.
10. Стекла 700 x 700 x 3 - очистка и обработка ацетоном, полив вручную гравировальной жидкостью.
3-й разряд
Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установках совмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка, отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов для проявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах, органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой. Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерение вязкости фоторезиста.
Должен знать: назначение, устройство, правила и способы подналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов, ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров и вискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травления различных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времени экспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и их компонентов.
Примеры работ
1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины - получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление, окрашивание, промывание и т.д.).
2. Маски биметаллические - изготовление методом фотохимического травления.
3. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.
4. Микротрасформаторы планарные - проведение последовательного ряда фотохимических операций.
5. Пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста в соляной кислоте.
6. Пластины кремния - нанесение, сушка, совмещение некритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.
7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методом фотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста.
8. Пленочные схемы СВЧ - проведение цикла фотолитографических операций.
9. Подложки ситалловые - травление, экспонирование.
4-й разряд
Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях. Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм. Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.
Должен знать: устройство, правила наладки и проверки на точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих в технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способы приготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательность технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы); причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их резкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявления фоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных и рабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.
Примеры работ
1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов более или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.
3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.
4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.
5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.
6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографических операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.
7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контроль качества поверхности под микроскопом МБС.
8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм - контроль качества проявления, травления.
9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.
10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ - нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику; определение толщины слоя фоторезиста.
11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.
12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефа из напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительным совмещением заданной точности.
13. Проекционная фотолитография - подбор экспозиции и резкости на установках проекционной фотолитографии.
14. Сетки мелкоструктурные - изготовление методом фотолитографии.
15. Сетки молибденовые и вольфрамовые - травление.
16. Теневая маска для цветных кинескопов - контроль качества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов под микроскопом.
17. Фотошаблоны эталонные - изготовление.
18. Фотошаблоны - контроль качества поверхности под микроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортными данными под микроскопом МИИ-4.
5-й разряд
Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.
Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования контрольно - измерительных приборов; принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения; основы физико - химических процессов фотолитографического получения микросхем.
Примеры работ
1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного цикла фотолитографических операций.
2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы.
3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, - вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин.
5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона.
6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм и более.
7. Фоторезист - фильтрация через специальные приспособления.
8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом с разбраковкой по 5 - 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.
9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещения комплекта на установке сравнения фотошаблонов.
10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.
6-й разряд
Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различных типов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм. Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионной фотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа со всеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типов ламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимов работы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов в процессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маске с помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопий масок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путем негативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 - 2 мкм.
Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на точность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические и физические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методы определения последовательности и режимов фотолитографических процессов для микросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные с выбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии; методы определения пленок на интерферометрах.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.
2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов с размерами элементов менее 5 мкм - контроль после задубливания, травления, фотолитографии; классификация по видам брака.
3. Фотошаблоны образцовые прецизионные - изготовление опытных партий.
4. Фотошаблоны эталонные - определение пригодности изготовленного комплекта для производства рабочих копий.
7-й разряд
Характеристика работ. Проведение полного цикла фотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем (СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм и размером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения и мультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливания фоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции на совмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати, качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ для обеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектности фоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерение линейных размеров на автоматическом измерителе типа "Zeltz". Входной контроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его к работе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.
Должен знать: конструкцию и принцип работы фотолитографического оборудования с программным управлением; правила пользования автоматической системой управления движением пластин; методы корректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий по результатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) - изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.
2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм - проведение полного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качества выполнения их перед проведением плазмохимических процессов.
3. Рамка контактная - проведение полного цикла фотолитографических операций.
4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм - проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.




Ранее просмотренные страницы