Главная    Интернет-библиотека    Словарь    ЕТКС    Оператор плазмохимических процессов

Оператор плазмохимических процессов

Поиск по словарю
4-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования. Ионно - плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластик, жидкокристаллических индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно - измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.
Должен знать: устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия; кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно - измерительных приборов и инструментов; назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин; способы и методы контроля степени вакуума; основные свойства и характеристики плазмообразующих сред; основы процесса плазмохимического травления; оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы; основные законы электротехники и вакуумной техники.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности.
2. Мезо - структуры с фоторезистом - ионно - плазменное напыление диэлектрических пленок.
3. Пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках.
4. Пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии.
5. Стеклопластины - ионно - плазменное нанесение Fe2O3.
Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса плазмохимической очистки пластин и материалов, нанесение двуокисных пленок на различных типах плазмохимического оборудования. Нанесение антиэмиссионных и эмиссионных покрытий ионно - плазменным или плазмо - дуговым методом. Напыление молибдена, алюминия ионно - плазменным методом. Подготовка и настройка оборудования на заданный режим работы. Согласование нагрузок генератора высокой частоты. Выявление причин неисправностей в вакуумных системах. Выявление причин отклонения скорости плазмохимической обработки от заданной и их устранение. Корректировка режимов проведения процесса по результатам контрольных измерений. Контроль толщины микрослоев после обработки на микроинтерферометрах различных типов.
Должен знать: системы подачи и натекания газов; основные процессы, происходящие при диссоциации в плазме молекул химически активных рабочих газов; основы плазмохимического осаждения; свойства пленок, подвергающихся плазмохимической обработке; физические и химические основы технологических процессов в плазме; методы определения глубины травления; методы определения толщины окислов; устройство и настройку интерферометров.
Примеры работ
1. Пластины кремниевые - ионно - плазменное напыление молибдена, алюминия с добавками меди и кремния; травление, высаживание пленки SiO2 плазмохимическим методом, замер величины заряда, пробивного напряжения на ПНХТ, контроль толщины пленки на интерферометре, контроль качества поверхности на микроскопе.
2. Пластины ситалловые - плазмохимическое осаждение пленки нитрида бора.
3. Пленки нитрида бора - плазмохимическое травление.
4. Фотошаблоны и пластины кремния - ионно - плазменное и плазмохимическое травление.
6-й разряд
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки, травления полупроводниковых материалов, металлов, металлических систем с использованием реагентов различных видов с заданной избирательностью травления. Определение скорости плазмохимического травления материалов. Самостоятельный подбор режимов очистки, травления, различных видов пленок в процессе фотолитографии в различных плазмообразующих средах. Отработка режимов плазмохимической обработки пластин с заданной точностью и соотношением скоростей травления. Оценка влияния плазменных обработок на параметры полупроводниковых приборов.
Должен знать: конструкцию вакуумных и газовых систем; устройство и принцип работы ионных источников, плазмотронов и реакционно - разрядных камер, методы их настройки и регулировки; теорию плазмохимических процессов осаждения пленок, по обработке и травлению поверхности полупроводниковых пластин и материалов; влияние качества обработки поверхности на характеристики полупроводниковых приборов; правила определения режима работы плазмохимического оборудования различных типов для получения заданных параметров пленок; основы теории плазмохимической обработки.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
Кремниевые пластины - плазмохимическое травление Si3N4, Al2O3, ванадия.
7-й разряд
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки и травления полупроводниковых материалов на экспериментальном и опытном оборудовании. Проведение многостадийных процессов травления. Плазмохимическое травление многослойных структур. Анизатропное травление поликремния. Сборка и разборка внутрикамерного устройства и его чистка. Отыскание течей вакуумных систем и принятие мер к их устранению.
Должен знать: конструкцию экспериментального и опытного оборудования для проведения плазмохимических процессов; правила ведения плазмохимического травления многослойных структур и ведения многостадийных процессов; методы отыскания течей в вакуумных системах и способы их устранения и предупреждения.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление AL/SL; ASI/TIW.
2. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление ФСС, БФСС, SiO2 селективно к SI, ПКК при формировании контактов.




Ранее просмотренные страницы